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浙江省2012年7月自考《02340线性电子电路》试题
浙江省2012年7月高等教育自学考试
线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1．理想二极管截止时认为是____________的。
2．晶体三极管的____________电流最大，而基极电流最小。
3．设某二极管反向电压为10V时，反向电流为0.01μA，在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为____________。
4．杂质半导体中的多数载流子的数量由____________决定，几乎与温度无关。
5．结型场效应管的栅源之间通常加____________电压，因此栅极电流很小。
6．集成运放构成的几种电压比较器中，抗干扰能力最强的是____________比较器。
7．理想集成运算放大器的共模抑制比KCMR为____________。
8．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，输出电阻为1kΩ，在输入电压不变的情况下接入1kΩ的负载电阻，则输出电压下降为____________V。
9．通常将开始形成____________所需的VGS称为开启电压，用VGS（th）表示。
10．放大电路的中频电压增益为40dB，在上下限截止频率处，实际增益为____________dB。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1．理想情况下，根据PN结的伏安特性，正偏电压增大时，将使( )
A．正向电流增大 B.正向电流减小
C.反向饱和电流增大 D.反向饱和电流几乎不变
2．晶体三极管的参数gm是表示正向受控作用的增量电导，即表示____________的控制。( )
A．vbe对集电极电流ic B.vbe对发射极电流ie
C.vbe对基极电流ib D.发射极电流ie对集电极电流ic
3．如题二（3）图所示的共发放大电路，当RB减小，可能引起的非线性失真为( )
A．幅度失真
B.相位失真
C.截止失真
D.饱和失真
4．二极管工作在导通状态时，其伏安特性近似为____________关系。( )
A．线性 B.对数律
C.指数律 D.平方律
5．某硅晶体三极管的直流电位如题二（5）图所示，则三极管的工作状态为( )
A．放大状态
B.截止状态
C.饱和状态
D.击穿状态
6．电流串联负反馈放大电路对输入、输出电阻的影响是( )
A．输入电阻减小、输出电阻减小 B.输入电阻减小、输出电阻增大
C.输入电阻增大、输出电阻减小 D.输入电阻增大、输出电阻增大
7．集成运放输入级为减小温漂对直接耦合放大器的影响，一般采用____________电路。( )
A．恒流源 B.差分放大
C.共集电极 D.共发射极
8．设差模电压vid=40mv和共模电压vic=30mv，则输入信号vi1、vi2为( )
A．vi1=50mv，vi2=10mv B.vi1=70mv，vi2=-10mv
C.vi1=35mv，vi2=-5mv D.vi1=55mv，vi2=-25mv
9．NPN和PNP型晶体管的区别取决于( )
A．半导体材料硅和锗的不同 B.掺杂元素的不同
C.掺杂浓度的不同 D.P区和N区的位置不同
10．下列所示各种元器件中，属于线性电子电路中有源器件的是( )
A．独立电压源 B.变压器
C.场效应管 D.晶体二极管
11．电路如题二（11）图所示，其中____________是微电流源电路。( )
12．负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为kf，则反馈深度的表达式是( )
A． B.1-Akf
C.Akf D.1+Akf
13．集成运放组成的同相比例放大器属于____________负反馈。( )
A．电压并联 B.电压串联
C.电流串联 D.电流并联
14．N沟道增强型MOS管工作在截止区的条件是____________，因沟道未形成，因而ID=0。( )
A．VGS≥VGS(th) B.VGS≥VGS(off)
C.VGS＜VGS(th) D.VGS＜VGS(off)
15．设计一运算电路将周期性的方波电压变换为三角波电压，可采用____________实现。( )
A．同相放大电路 B.反相放大电路
C.积分电路 D.微分电路
三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)
1．试设计一二极管双向限幅电路，使其在正弦波电压作用下的输出波形如题三（1）图所示，设二极管是理想的，试画出电路图，并标出各参数的值。
2．题三（2）图所示为场效应管的转移特性，设其伏安特性为 ，试判断该场效应管是N沟道还是P沟道，求出VGS(off)和IDSS，并求vGS=-1.5V时的ID。
3．电路如题三（3）图所示，RW为电位器，设A为理想运算放大器。写出输出电流io的表达式，并说明该电路的功能。
四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分)
1.题四（1）图所示放大电路，设所有电容对交流均视为短路，β=60，VBE(on)=0.7V，rce可忽略不计。
（1）估算静态工作点Q（IBQ、ICQ、VCEQ）；
（2）画出交流小信号等效电路图；
（3）求电压放大倍数Av，输入电阻Ri。
2．题四（2）图所示差分放大电路，设各晶体管的特性相同，β=100，VBE(on)=0.7V。
（1）静态时的输出电压VO；
（2）求输出端接负载RL=1K时的差模电压放大倍数Avd=Vo/Vi。
3．题四（3）图所示放大电路，各电容对交流均视为短路。
（1）指出级间反馈元件，判断反馈的极性、类型，并说明对信号源内阻RS有何要求；
（2）满足深度负反馈条件下，求反馈系数kf，源电压增益Avfs。
4．如题四（4）图所示电路，设集成运放均为理想的，运放最大的输出电压为±10V。
（1）说明A1、A2组成何种基本运算电路；
（2）写出Vo1、Vo的表达式，并求出值。
（3）当电阻R3不小心开路时，输出电压Vo变为多少？
5．如题四（5）图所示电路，已知稳压管的正向导通电压VD(on)=0.7V，VREF＝3V，运放的最大输出电压±12V。
（1）要求迟滞宽度ΔV=4V，试确定VZ应选何值；
（2）画出电压比较特性（vo~vi），并求出门限电压VIH、VIL。
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线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1．理想二极管截止时认为是____________的。
2．晶体三极管的____________电流最大，而基极电流最小。
3．设某二极管反向电压为10V时，反向电流为0.01μA，在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为____________。
4．杂质半导体中的多数载流子的数量由____________决定，几乎与温度无关。
5．结型场效应管的栅源之间通常加____________电压，因此栅极电流很小。
6．集成运放构成的几种电压比较器中，抗干扰能力最强的是____________比较器。
7．理想集成运算放大器的共模抑制比KCMR为____________。
8．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，输出电阻为1kΩ，在输入电压不变的情况下接入1kΩ的负载电阻，则输出电压下降为____________V。
9．通常将开始形成____________所需的VGS称为开启电压，用VGS（th）表示。
10．放大电路的中频电压增益为40dB，在上下限截止频率处，实际增益为____________dB。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1．理想情况下，根据PN结的伏安特性，正偏电压增大时，将使( )
A．正向电流增大 B.正向电流减小
C.反向饱和电流增大 D.反向饱和电流几乎不变
2．晶体三极管的参数gm是表示正向受控作用的增量电导，即表示____________的控制。( )
A．vbe对集电极电流ic B.vbe对发射极电流ie
C.vbe对基极电流ib D.发射极电流ie对集电极电流ic
3．如题二（3）图所示的共发放大电路，当RB减小，可能引起的非线性失真为( )
A．幅度失真
B.相位失真
C.截止失真
D.饱和失真
4．二极管工作在导通状态时，其伏安特性近似为____________关系。( )
A．线性 B.对数律
C.指数律 D.平方律
5．某硅晶体三极管的直流电位如题二（5）图所示，则三极管的工作状态为( )
A．放大状态
B.截止状态
C.饱和状态
D.击穿状态
6．电流串联负反馈放大电路对输入、输出电阻的影响是( )
A．输入电阻减小、输出电阻减小 B.输入电阻减小、输出电阻增大
C.输入电阻增大、输出电阻减小 D.输入电阻增大、输出电阻增大
7．集成运放输入级为减小温漂对直接耦合放大器的影响，一般采用____________电路。( )
A．恒流源 B.差分放大
C.共集电极 D.共发射极
8．设差模电压vid=40mv和共模电压vic=30mv，则输入信号vi1、vi2为( )
A．vi1=50mv，vi2=10mv B.vi1=70mv，vi2=-10mv
C.vi1=35mv，vi2=-5mv D.vi1=55mv，vi2=-25mv
9．NPN和PNP型晶体管的区别取决于( )
A．半导体材料硅和锗的不同 B.掺杂元素的不同
C.掺杂浓度的不同 D.P区和N区的位置不同
10．下列所示各种元器件中，属于线性电子电路中有源器件的是( )
A．独立电压源 B.变压器
C.场效应管 D.晶体二极管
11．电路如题二（11）图所示，其中____________是微电流源电路。( )
12．负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为kf，则反馈深度的表达式是( )
A． B.1-Akf
C.Akf D.1+Akf
13．集成运放组成的同相比例放大器属于____________负反馈。( )
A．电压并联 B.电压串联
C.电流串联 D.电流并联
14．N沟道增强型MOS管工作在截止区的条件是____________，因沟道未形成，因而ID=0。( )
A．VGS≥VGS(th) B.VGS≥VGS(off)
C.VGS＜VGS(th) D.VGS＜VGS(off)
15．设计一运算电路将周期性的方波电压变换为三角波电压，可采用____________实现。( )
A．同相放大电路 B.反相放大电路
C.积分电路 D.微分电路
三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)
1．试设计一二极管双向限幅电路，使其在正弦波电压作用下的输出波形如题三（1）图所示，设二极管是理想的，试画出电路图，并标出各参数的值。
2．题三（2）图所示为场效应管的转移特性，设其伏安特性为 ，试判断该场效应管是N沟道还是P沟道，求出VGS(off)和IDSS，并求vGS=-1.5V时的ID。
3．电路如题三（3）图所示，RW为电位器，设A为理想运算放大器。写出输出电流io的表达式，并说明该电路的功能。
四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分)
1.题四（1）图所示放大电路，设所有电容对交流均视为短路，β=60，VBE(on)=0.7V，rce可忽略不计。
（1）估算静态工作点Q（IBQ、ICQ、VCEQ）；
（2）画出交流小信号等效电路图；
（3）求电压放大倍数Av，输入电阻Ri。
2．题四（2）图所示差分放大电路，设各晶体管的特性相同，β=100，VBE(on)=0.7V。
（1）静态时的输出电压VO；
（2）求输出端接负载RL=1K时的差模电压放大倍数Avd=Vo/Vi。
3．题四（3）图所示放大电路，各电容对交流均视为短路。
（1）指出级间反馈元件，判断反馈的极性、类型，并说明对信号源内阻RS有何要求；
（2）满足深度负反馈条件下，求反馈系数kf，源电压增益Avfs。
4．如题四（4）图所示电路，设集成运放均为理想的，运放最大的输出电压为±10V。
（1）说明A1、A2组成何种基本运算电路；
（2）写出Vo1、Vo的表达式，并求出值。
（3）当电阻R3不小心开路时，输出电压Vo变为多少？
5．如题四（5）图所示电路，已知稳压管的正向导通电压VD(on)=0.7V，VREF＝3V，运放的最大输出电压±12V。
（1）要求迟滞宽度ΔV=4V，试确定VZ应选何值；
（2）画出电压比较特性（vo~vi），并求出门限电压VIH、VIL。
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