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浙江省2013年7月自考02340线性电子电路试题
浙江省2013年7月高等教育自学考试
线性电子电路试题
课程代码：02340
A卷
一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。
1．利用二极管的单向导电特性可实现______功能。
A.电压放大 B.电流放大
C.稳压 D.整流
2．在题2图所示的各种元器件中，______是无源器件。
题2图
3．晶体三极管中的α是描述______控制作用的参数。
A.发射极电流ie对集电极电流ic B.基极电流ib对发射极电流ie
C.发射极电流ie对基极电流ib D.基极电流ib对集电极电流ic
4．晶体三极管的频率参数ωβ是β（ω）下降到______时所对应的角频率。
A.0.1β B.0.5β
C.0.707β D.0.9β
5．晶体三极管组成的共发放大电路，当输入信号Vi增加到足够大时，可能引起的非线性失真为
A.频率失真 B.幅度失真
C.相位失真 D.截止和饱和双向失真
6．某硅晶体三极管的直流电位如题6图所示，则三极管的工作状态为
A.放大状态 B.截止状态
C.击穿状态 D.饱和状态 题6图
7．集成运放偏置电路主要为各组成级提供稳定的工作点，
一般采用______电路。
A.差分 B.恒流源
C.共集电极 D.共发射极
8．差动放大电路，已知输入信号Vi1=30mV，Vi2=10mV，则共模信号Vic和差模信号Vid分别为
A.Vic=20mV Vid=20mV B.Vic=40mV Vid=20mV
C.Vic=20mV Vid=40mV D.Vic=40mV Vid=40mV
9．N沟道和P沟道MOS场效应管的区别在于
A.衬底材料前者为硅，后者为锗
B.衬底材料前者为N型，后者为P型
C.导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.导电沟道中载流子前者为空穴，后者为电子
10．晶体三极管工作在放大状态时，ic与vbe之间近似为______关系。
A.对数律 B.指数律
C.线性 D.平方律
11．电路如题11图所示，其中______是基本MOS管镜像电流源电路。
题11图
12．负反馈放大器中，在满足深度负反馈条件下，存在虚短路和虚开路，即
A.x′i≈0 B.xi≈0
C.x0≈0 D.xf≈0
13．设计一负反馈放大器，实现电流——电压的变换，应引入
A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈
14．当输入信号为阶跃电压时，设计一运算电路实现延时，可选用______实现。
A.同相放大电路 B.反相放大电路
C.积分电路 D.微分电路
15．在题15图所示电路中，两个二极管的工作状态是
A.D1导通，D2截止
B.D1截止，D2导通
C.D1和D2都截止
D.D1和D2都导通 题15图
二、填空题(本大题共10小题，每空1分，共10分)
16．半导体中的载流子由于浓度差而产生的定向运动称为______运动。
17．当外电源正极接N区，负极接P区时，称反偏，此时PN结的结电阻通常非常______。
18．集成运放组成的比例运算电路中，______比例放大电路的放大倍数大于1。
19．直接耦合放大电路的通频带为100kHz，说明其上限截止频率为______。
20．场效应管常用跨导gm表示栅源电压vGS对______的控制能力。
21．随着温度升高，晶体管的穿透电流ICEO将______，使共发射极输出特性曲线上移。
22．负反馈放大电路的开环放大倍数为1000，而闭环放大倍数为50，则该电路的反馈深度为______。
23．差分放大电路中常用KCMR来表示抑制共模信号的能力，希望它越______越好。
24．根据vGS=0时，导电沟道是否已存在，将场效应管分为增强型和______型。
25．晶体三极管的三种基本组态放大器中，有电流增益，但无电压增益的是______电路。
三、简答题（本大题共3小题，每小题5分，共15分）
26．电路如题26(a)图所示，设二极管D为理想的，当输入电压为题26（b）所示的波形时，试用二极管的理想模型画出电压传输特性（VO~Vi）和输出电压波形(VO~t)。
题26图
27．题27图所示电流源电路，已知各晶体管特性相同，VBE（on）=0.7V，试求IR、Ic2和Ic3。
题27图 题28图
28．题28图所示电路，设A为理想运算放大器，最大输出电压为±12V。画出电压传输特性（VO~Vi），并标出各电压值。
四、分析计算题（本大题共5小题，每小题9分，共45分）
29.如题29图所示放大电路，设所有电容对交流均视为短路，β=80，VBE(on)=0.7V，rce可忽略不计。
（1）要求IEQ=1.5mA，VCEQ=6V，Rb1+Rb2=120kΩ，确定电阻Rb1、Rb2、Rc；
（2）求电压放大倍数Av，输入电阻Ri，源电压放大倍数Avs。
题29图 题30图
30．题30图所示差分放大电路，设场效应管的低频跨导为gm=1mS，rds可忽略不计，电流源I0的交流内阻r0=100kΩ。
（1）求差模放大倍数Avd2、共模放大倍数Avc2、共模抑制比KCMR2、输出电阻Ro；
（2）单端输入时，当vi=10mV，求输出电压vo。
31．题31图所示放大电路，所有电容对交流均视为短路。
（1）指出级间反馈元件，判断反馈的类型，并说明对输入、输出电阻的影响；
（2）满足深度负反馈条件下，求反馈系数kf，源电压增益Avfs。
题31图
32．题32图所示电路，设集成运放均为理想的。
（1）说明A1、A2组成何种基本运算电路；
（2）写出Vo1、Vo的表达式；
（3）设t=0时，电容的初始电压为0，若要求t=10ms时输出电压Vo=5V，求R5。
题32图
33．题33图所示电路，已知稳压管的VZ=5.3V，VD（on）=0.7V，运放的最大输出电压为±12V。
（1）要求上门限电压VIH=5V，试确定参考电压VREF的值，并求出下门限电压VIL；
（2）画出电压比较特性（vo~vi）；
题33图
B卷
一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。
1．晶体三极管的发射极电流是另外两个电极电流（基极和集电极）的
A.差 B.和
C.积 D.积分
2．晶体三极管的β是描述______控制作用的参数。
A.基极电流ib对集电极电流ic B.基极电流ib对发射极电流ie
C.发射极电流ie对基极电流ib D.发射极电流ie对集电极电流ic
3．放大电路进行信号放大时，其基本前提是
A.不失真 B.电压放大
C.电流放大 D.接入直流电源
4．集成运放的输出级一般采用互补推挽的共集电路，是为了
A.提高电压增益 B.减小输出电流
C.提高带载能力 D.增大输出电阻
5．测得晶体三极管三个极的直流电位为-9V，-6V，-6.3V，则该三极管是
A.NPN型硅管 B.PNP型硅管
C.NPN型锗管 D.PNP型锗管
6．电流并联负反馈放大电路对输入、输出电阻的影响是
A.输入电阻减小、输出电阻增大 B.输入电阻减小、输出电阻减小
C.输入电阻增大、输出电阻减小 D.输入电阻增大、输出电阻增大
7．当高内阻的信号源与低负载相连接时，为降低负载的影响，可在信号源和负载间接入______电路。
A.共射 B.共基
C.共集电极 D.共射-共基
8．NPN管组成的共射放大电路的输出电压波形出现下半周失真时为
A.频率失真 B.饱和失真
C.截止失真 D.交越失真
9．如题9图所示，其中______是光敏二极管的电路符号。
题9图
10．与迟滞电压比较器相比，单门限电压比较器
A.灵敏度高，抗干扰能力差 B.灵敏度低，抗干扰能力差
C.灵敏度高，抗干扰能力强 D.灵敏度低，抗干扰能力强
11．放大电路交流输出功率是由______提供的。
A.偏置电阻 B.交流输入信号vi
C.直流电压源VCC D.晶体三极管BJT
12．差分放大电路的差模放大倍数的大小取决于
A.差模输入信号的大小 B.信号的输入方式是单端或双端
C.共模输入信号的大小 D.信号的输出方式是单端或双端
13．场效应管工作在饱和区时，可等效为
A.电阻 B.电压源
C.电流源 D.受控电流原
14．如题14图所示，增强型场效应管的转移特性曲线是
题14图
15．负反馈放大电路中，反馈信号仅与______有关。
A.输入信号 B.输出信号
C.电压增益 D.电流增益
二、填空题(本大题共10小题，每空1分，共10分)
16．当集成运放线性工作时，i+=i－→0，称______。
17．晶体管工作在截止状态时，集电极和发射极间的阻抗，可等效为______路。
18．场效应管仅利用______数载流子导电，故可将其视为单极性器件。
19．当差分放大电路空载时，单端输出差模电压增益为双端输出时的______。
20．晶体管放大电路进行交流小信号分析时，电路中的大电容可等效为______路。
21．输入信号不变时，若反馈使净输入信号比无反馈时减小了，称为______反馈。
22．某电压放大器，当V1=0.1V时，VO=10V,则该放大器的AV=______dB。
23．晶体三极管的三个极对地电位分别为VA=2V，VB=2.7V，VC=6V，则该管工作状态是______状态。
24．低频时场效应管的ig=0，所以共源和共漏放大器的输入电阻和电流增益均趋于______。
25．放大器级联时的总分贝增益，是各级电路分贝增益的______。
三、简答题（本大题共3小题，每小题5分，共15分）
26．题26图所示为二极管电路的电压传输特性，设二极管为理想的。试画出该电路，并求出电路中的各参数。
题26图 题27图
27．题27图所示为MOS场效应管放大电路，已知场效应管的低频跨导为gm=1.0mS，rds很大，可忽略不计。试求电压放大倍数Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
28．电路如题28(a)图所示，其幅频特性如题28(b)图所示，试求电压增益Av1，带宽BW0.7；当带宽变为150kHz时，电压增益Av2变为多少，当其它参数不变时，求电阻Rf的值。
题28（a）图 题28（b）图
四、分析计算题（本大题共5小题，每小题9分，共45分）
29.如题29图所示放大电路，设所有电容对交流均视为短路，β=100，VBE(on)=0.7V，rce可忽略不计。
（1）估算静态工作点Q（ICQ、VCEQ）；
（2）求源电压放大倍数Avs；
（3）若旁路电容Ce不小心开路，则工作点Q、电压放大倍数Av和输入电阻Ri如何变化？
题29图 题30图
30．如题30图所示放大电路，设晶体管的特性相同，β=100，VBE(on)=0.7V。场效应管的跨导gm=1.0mS。
（1）求IC1、IC2、VRc2；
（2）设差分放大电路的共模抑制比KCMR足够大，当vi=10mV时，求输出电压vo。
31．如题31图所示放大电路，各电容对交流均视为短路。
（1）指出级间反馈元件，判断反馈的类型，并说明对输入、输出电阻的影响；
（2）满足深度负反馈条件下，求反馈系数kf和源电压增益Avfs。
题31图
32．如题32图所示电路，设集成运放均为理想的，运放最大的输出电压为±12V。
（1）说明A1、A2、A3组成何种基本运算电路；
（2）求Vo1、Vo2和Vo3的表达式，并求出数值；
题32图
33．如题33图所示电路，VREF＝－1.2V，运放的最大输出电压±12V，在下列两种情况下画出电压比较特性（vo~vi），求出门限电压VIH、VIL和迟滞宽度△V。
（1）电压比较器的输出电平为0V和6V；
（2）电压比较器的输出电平为±12V。
题33图
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线性电子电路试题
课程代码：02340
A卷
一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。
1．利用二极管的单向导电特性可实现______功能。
A.电压放大 B.电流放大
C.稳压 D.整流
2．在题2图所示的各种元器件中，______是无源器件。
题2图
3．晶体三极管中的α是描述______控制作用的参数。
A.发射极电流ie对集电极电流ic B.基极电流ib对发射极电流ie
C.发射极电流ie对基极电流ib D.基极电流ib对集电极电流ic
4．晶体三极管的频率参数ωβ是β（ω）下降到______时所对应的角频率。
A.0.1β B.0.5β
C.0.707β D.0.9β
5．晶体三极管组成的共发放大电路，当输入信号Vi增加到足够大时，可能引起的非线性失真为
A.频率失真 B.幅度失真
C.相位失真 D.截止和饱和双向失真
6．某硅晶体三极管的直流电位如题6图所示，则三极管的工作状态为
A.放大状态 B.截止状态
C.击穿状态 D.饱和状态 题6图
7．集成运放偏置电路主要为各组成级提供稳定的工作点，
一般采用______电路。
A.差分 B.恒流源
C.共集电极 D.共发射极
8．差动放大电路，已知输入信号Vi1=30mV，Vi2=10mV，则共模信号Vic和差模信号Vid分别为
A.Vic=20mV Vid=20mV B.Vic=40mV Vid=20mV
C.Vic=20mV Vid=40mV D.Vic=40mV Vid=40mV
9．N沟道和P沟道MOS场效应管的区别在于
A.衬底材料前者为硅，后者为锗
B.衬底材料前者为N型，后者为P型
C.导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.导电沟道中载流子前者为空穴，后者为电子
10．晶体三极管工作在放大状态时，ic与vbe之间近似为______关系。
A.对数律 B.指数律
C.线性 D.平方律
11．电路如题11图所示，其中______是基本MOS管镜像电流源电路。
题11图
12．负反馈放大器中，在满足深度负反馈条件下，存在虚短路和虚开路，即
A.x′i≈0 B.xi≈0
C.x0≈0 D.xf≈0
13．设计一负反馈放大器，实现电流——电压的变换，应引入
A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈
14．当输入信号为阶跃电压时，设计一运算电路实现延时，可选用______实现。
A.同相放大电路 B.反相放大电路
C.积分电路 D.微分电路
15．在题15图所示电路中，两个二极管的工作状态是
A.D1导通，D2截止
B.D1截止，D2导通
C.D1和D2都截止
D.D1和D2都导通 题15图
二、填空题(本大题共10小题，每空1分，共10分)
16．半导体中的载流子由于浓度差而产生的定向运动称为______运动。
17．当外电源正极接N区，负极接P区时，称反偏，此时PN结的结电阻通常非常______。
18．集成运放组成的比例运算电路中，______比例放大电路的放大倍数大于1。
19．直接耦合放大电路的通频带为100kHz，说明其上限截止频率为______。
20．场效应管常用跨导gm表示栅源电压vGS对______的控制能力。
21．随着温度升高，晶体管的穿透电流ICEO将______，使共发射极输出特性曲线上移。
22．负反馈放大电路的开环放大倍数为1000，而闭环放大倍数为50，则该电路的反馈深度为______。
23．差分放大电路中常用KCMR来表示抑制共模信号的能力，希望它越______越好。
24．根据vGS=0时，导电沟道是否已存在，将场效应管分为增强型和______型。
25．晶体三极管的三种基本组态放大器中，有电流增益，但无电压增益的是______电路。
三、简答题（本大题共3小题，每小题5分，共15分）
26．电路如题26(a)图所示，设二极管D为理想的，当输入电压为题26（b）所示的波形时，试用二极管的理想模型画出电压传输特性（VO~Vi）和输出电压波形(VO~t)。
题26图
27．题27图所示电流源电路，已知各晶体管特性相同，VBE（on）=0.7V，试求IR、Ic2和Ic3。
题27图 题28图
28．题28图所示电路，设A为理想运算放大器，最大输出电压为±12V。画出电压传输特性（VO~Vi），并标出各电压值。
四、分析计算题（本大题共5小题，每小题9分，共45分）
29.如题29图所示放大电路，设所有电容对交流均视为短路，β=80，VBE(on)=0.7V，rce可忽略不计。
（1）要求IEQ=1.5mA，VCEQ=6V，Rb1+Rb2=120kΩ，确定电阻Rb1、Rb2、Rc；
（2）求电压放大倍数Av，输入电阻Ri，源电压放大倍数Avs。
题29图 题30图
30．题30图所示差分放大电路，设场效应管的低频跨导为gm=1mS，rds可忽略不计，电流源I0的交流内阻r0=100kΩ。
（1）求差模放大倍数Avd2、共模放大倍数Avc2、共模抑制比KCMR2、输出电阻Ro；
（2）单端输入时，当vi=10mV，求输出电压vo。
31．题31图所示放大电路，所有电容对交流均视为短路。
（1）指出级间反馈元件，判断反馈的类型，并说明对输入、输出电阻的影响；
（2）满足深度负反馈条件下，求反馈系数kf，源电压增益Avfs。
题31图
32．题32图所示电路，设集成运放均为理想的。
（1）说明A1、A2组成何种基本运算电路；
（2）写出Vo1、Vo的表达式；
（3）设t=0时，电容的初始电压为0，若要求t=10ms时输出电压Vo=5V，求R5。
题32图
33．题33图所示电路，已知稳压管的VZ=5.3V，VD（on）=0.7V，运放的最大输出电压为±12V。
（1）要求上门限电压VIH=5V，试确定参考电压VREF的值，并求出下门限电压VIL；
（2）画出电压比较特性（vo~vi）；
题33图
B卷
一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。
1．晶体三极管的发射极电流是另外两个电极电流（基极和集电极）的
A.差 B.和
C.积 D.积分
2．晶体三极管的β是描述______控制作用的参数。
A.基极电流ib对集电极电流ic B.基极电流ib对发射极电流ie
C.发射极电流ie对基极电流ib D.发射极电流ie对集电极电流ic
3．放大电路进行信号放大时，其基本前提是
A.不失真 B.电压放大
C.电流放大 D.接入直流电源
4．集成运放的输出级一般采用互补推挽的共集电路，是为了
A.提高电压增益 B.减小输出电流
C.提高带载能力 D.增大输出电阻
5．测得晶体三极管三个极的直流电位为-9V，-6V，-6.3V，则该三极管是
A.NPN型硅管 B.PNP型硅管
C.NPN型锗管 D.PNP型锗管
6．电流并联负反馈放大电路对输入、输出电阻的影响是
A.输入电阻减小、输出电阻增大 B.输入电阻减小、输出电阻减小
C.输入电阻增大、输出电阻减小 D.输入电阻增大、输出电阻增大
7．当高内阻的信号源与低负载相连接时，为降低负载的影响，可在信号源和负载间接入______电路。
A.共射 B.共基
C.共集电极 D.共射-共基
8．NPN管组成的共射放大电路的输出电压波形出现下半周失真时为
A.频率失真 B.饱和失真
C.截止失真 D.交越失真
9．如题9图所示，其中______是光敏二极管的电路符号。
题9图
10．与迟滞电压比较器相比，单门限电压比较器
A.灵敏度高，抗干扰能力差 B.灵敏度低，抗干扰能力差
C.灵敏度高，抗干扰能力强 D.灵敏度低，抗干扰能力强
11．放大电路交流输出功率是由______提供的。
A.偏置电阻 B.交流输入信号vi
C.直流电压源VCC D.晶体三极管BJT
12．差分放大电路的差模放大倍数的大小取决于
A.差模输入信号的大小 B.信号的输入方式是单端或双端
C.共模输入信号的大小 D.信号的输出方式是单端或双端
13．场效应管工作在饱和区时，可等效为
A.电阻 B.电压源
C.电流源 D.受控电流原
14．如题14图所示，增强型场效应管的转移特性曲线是
题14图
15．负反馈放大电路中，反馈信号仅与______有关。
A.输入信号 B.输出信号
C.电压增益 D.电流增益
二、填空题(本大题共10小题，每空1分，共10分)
16．当集成运放线性工作时，i+=i－→0，称______。
17．晶体管工作在截止状态时，集电极和发射极间的阻抗，可等效为______路。
18．场效应管仅利用______数载流子导电，故可将其视为单极性器件。
19．当差分放大电路空载时，单端输出差模电压增益为双端输出时的______。
20．晶体管放大电路进行交流小信号分析时，电路中的大电容可等效为______路。
21．输入信号不变时，若反馈使净输入信号比无反馈时减小了，称为______反馈。
22．某电压放大器，当V1=0.1V时，VO=10V,则该放大器的AV=______dB。
23．晶体三极管的三个极对地电位分别为VA=2V，VB=2.7V，VC=6V，则该管工作状态是______状态。
24．低频时场效应管的ig=0，所以共源和共漏放大器的输入电阻和电流增益均趋于______。
25．放大器级联时的总分贝增益，是各级电路分贝增益的______。
三、简答题（本大题共3小题，每小题5分，共15分）
26．题26图所示为二极管电路的电压传输特性，设二极管为理想的。试画出该电路，并求出电路中的各参数。
题26图 题27图
27．题27图所示为MOS场效应管放大电路，已知场效应管的低频跨导为gm=1.0mS，rds很大，可忽略不计。试求电压放大倍数Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
28．电路如题28(a)图所示，其幅频特性如题28(b)图所示，试求电压增益Av1，带宽BW0.7；当带宽变为150kHz时，电压增益Av2变为多少，当其它参数不变时，求电阻Rf的值。
题28（a）图 题28（b）图
四、分析计算题（本大题共5小题，每小题9分，共45分）
29.如题29图所示放大电路，设所有电容对交流均视为短路，β=100，VBE(on)=0.7V，rce可忽略不计。
（1）估算静态工作点Q（ICQ、VCEQ）；
（2）求源电压放大倍数Avs；
（3）若旁路电容Ce不小心开路，则工作点Q、电压放大倍数Av和输入电阻Ri如何变化？
题29图 题30图
30．如题30图所示放大电路，设晶体管的特性相同，β=100，VBE(on)=0.7V。场效应管的跨导gm=1.0mS。
（1）求IC1、IC2、VRc2；
（2）设差分放大电路的共模抑制比KCMR足够大，当vi=10mV时，求输出电压vo。
31．如题31图所示放大电路，各电容对交流均视为短路。
（1）指出级间反馈元件，判断反馈的类型，并说明对输入、输出电阻的影响；
（2）满足深度负反馈条件下，求反馈系数kf和源电压增益Avfs。
题31图
32．如题32图所示电路，设集成运放均为理想的，运放最大的输出电压为±12V。
（1）说明A1、A2、A3组成何种基本运算电路；
（2）求Vo1、Vo2和Vo3的表达式，并求出数值；
题32图
33．如题33图所示电路，VREF＝－1.2V，运放的最大输出电压±12V，在下列两种情况下画出电压比较特性（vo~vi），求出门限电压VIH、VIL和迟滞宽度△V。
（1）电压比较器的输出电平为0V和6V；
（2）电压比较器的输出电平为±12V。
题33图
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浙江省2013年7月自考02340线性电子电路试题 |